通電時の抵抗など物性の理論限界値に到達しつつあるシリコン（Ｓｉ）に代わり、次世代パワー半導体の材料として炭化ケイ素（ＳｉＣ）と並んで注目を集めている窒化ガリウム（ＧａＮ）。その高環境耐性からエネルギー密度が高い分野に向いているＳｉＣに対し、ＧａＮは速いスイッチングに特徴がある。その為、発電設備や送電時の電力変換等にはＳｉＣを、電気製品等にはＧａＮを用いるといった具合で普及が進められている。
こうした中、シャープ＜6753＞が、電気製品の省エネ化に貢献する定格電圧６００VのＧａＮパワートランジスタを開発したと発表。４月１５日からサンプル出荷を開始し、今年中に福山工場の６インチラインで生産開始を目指すという。
ＧａＮは、ＬＥＤ照明の中心部材である青色ＬＥＤ用材として産業化されているもの。シャープは、長年培ってきたＬＥＤに代表される化合物半導体技術とＬＳＩプロセス技術とを融合させ、本製品の開発に成功したとのこと。従来のＳｉパワートランジスタに比べて通電時やスイッチ動作時の電力ロスが少ないため省エネ化を実現。また、高速のスイッチ動作が可能となるため、コイルなど周辺部品の小型・軽量化も可能とする製品となっている。同社は、本デバイスに周辺部品を加えたモジュールの事業展開も図るとのこと。
グローバルインフォメーションの調査によると、ＧａＮを利用したパワーデバイスの売上高は２０１１年には２５０万ドル弱であったものが、今年は生産量が増加し、新規参入の動きも活発化して、５０００万ドルにも達する見通しだという。パワーデバイスとしてのＧａＮ製品は市場が立ちあがったばかりであるだけに、今イニシアティブを握ることができれば、大きな事業となるであろう。屋台骨の揺らいでいるシャープであるが、今後の同社を支える柱の一つとなり得るであろうか。今後の動向は注目に値するであろう。（編集担当：井畑学）
