世界初、ロームが超低損失ＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴ開発

2011年12月12日 11:00

世界初、ロームが超低損失ＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴ開発

ロームは超低損失ＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴを開発。６００Ｖでは０．７９ｍΩ・ｃｍ２、１２００Ｖでは１．４１ｍΩ・ｃｍ２という世界最小の超低オン抵抗を実現しており、１ｍΩ・ｃｍ２以下のオン抵抗を実現したのは世界初の快挙となる。

この写真の記事へ

トピックス

週末コラム、話題のニュースを斬る！

政治の動き

画・日米FTA、米国は強い意欲。日本はTPP11優先て_交渉優位の戦略か

【コラム】米軍の他国出撃に在日基地からは不可の規制を

株式市場

TOYOTA 佐藤恒治トヨタ社長

【コラム】国内主要自動車メーカー、2025年3月期決算　各社概ね良好な収益構造だが、日産のみ大幅赤字を記録

経済動向

Honda N-BOX

【コラム】自販連、全軽自協発表、7月国内新車販売台数、前年同期比3.6%減、7カ月ぶりに減少



アクセスランキング

TOYOTA、愛知・豊田市貞宝町に新たな車両完成車工場を建設　国内300万台生産維持を
被爆３世が戦後８０年談話閣議決定ネット呼掛け
日本でも普及し始めたDtoCビジネス。半導体企業が仕掛ける巨大ECサイト
沖縄県の製造業初、オリオンビールがまもなく東京証券取引所へ上場する見込み
我々が考えねばならない事を織り込む意向　総理
自民党議員総会『自分党の発言としか思えない』
全てのモバイル機器が急速充電対応に？　注目のローム2mmサイズMOSFET
出生数の低下が止まらない。超少子化社会の今、企業や社会ができること
「赤澤大臣は『赤ちゃん』か？」と苦言　野田氏
汚染土再利用で最終処分量減らす狙いも安全性は