世界初、ロームが超低損失ＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴ開発

2011年12月12日 11:00

世界初、ロームが超低損失ＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴ開発

ロームは超低損失ＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴを開発。６００Ｖでは０．７９ｍΩ・ｃｍ２、１２００Ｖでは１．４１ｍΩ・ｃｍ２という世界最小の超低オン抵抗を実現しており、１ｍΩ・ｃｍ２以下のオン抵抗を実現したのは世界初の快挙となる。

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