半導体メーカーのロームはＥＶ／ＨＥＶ車や産業機器のインバータ駆動向けに、ＳｉＣデバイスの温度特性に対応した高温で動作可能なＳｉＣパワーモジュールを開発したことを発表した。
急速に発展しているＥＶ／ＨＥＶ車などに代表されるパワーエレクトニクスの分野では近年、さらなるハイパワー化や高効率化、高温動作などが求められており、ＳｉＣデバイスの開発と同時に、高温で高効率動作が可能なＳｉＣモジュールの開発が各社で行われている。
そのような状況の中、半導体メーカーのロームはＥＶ／ＨＥＶ車や産業機器のインバータ駆動向けに、ＳｉＣデバイスの温度特性に対応した高温で動作可能なＳｉＣパワーモジュールを開発したことを発表した。
同モジュールは６００Ｖ／１００Ａの３相インバータで、同社のＳｉＣ‐ＳＢＤ、ＳｉＣ‐トレンチＭＯＳＦＥＴを各６素子搭載した６００Ｖ／１００Ａで、２２５℃までの駆動を確認。さらにこのモジュールは１２００Ｖクラスまで搭載可能で、これによって従来のＳｉ‐ＩＧＢＴモジュールと比べ、大幅な損失低減、小型化が可能なだけでなく、これまでのケース型ＳｉＣモジュールと比較して大幅なコストダウンが可能となる。今回の発表にて同社は、同製品の３、４年後の実用化を目指すことと、ゲートドライバＩＣを搭載したＩＰＭについても、この技術を用いて、トランスファーモールドＤＩＰタイプで高温動作が可能な６００Ｖ／５０ＡまでのＳｉＣ搭載のＩＰＭを開発予定であることを伝えている。
ロームは、２０１０年１０月に世界で初めて、ＳｉＣ‐トレンチＭＯＳＦＥＴを搭載したモジュール（６００Ｖ／４５０Ａ）とＳｉＣ‐ＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）を搭載したダイオードモジュール（６００Ｖ／４５０Ａ）のモータへの内蔵および駆動に成功した実績がある。しかし、モジュールについては、従来のトランスファーモールド型では２００℃以上の高温に耐えられないため、２５０℃までの耐熱特性を持つ材料を用いたケース型を使用。同時にケース型に比べて小型化、低コスト化、量産化に有利なトランスファーモールド型の開発を進めてきた。今回、樹脂の物性値とモジュール構造の最適設計によって２２５℃の耐熱性と小型化を達成したことで、トランスファーモールド型で２２５℃での大電力動作を世界で初めて可能にしている。
