ＳｉＣ製品の積極的な商品開発を進めるロームが、モジュール第２弾となる新製品「ショットキーバリアダイオードレスのＳｉＣ－ＭＯＳモジュール」を開発した。
今年３月に世界で初めて内蔵するパワー半導体素子を全てシリコンカーバイドで構成したフルＳｉＣパワーモジュールの量産を開始するなど、ＳｉＣ製品の積極的な商品開発を進めるローム 。今回、モジュール第２弾となる新製品を開発した。それがショットキーバリアダイオードレスのＳｉＣ－ＭＯＳモジュールである。
ＳｉＣパワー半導体は、すでに産業機器などでの採用・検討が進んでいる一方で、小型モジュールサイズを維持したままでの大電流化に対する要求が高まっていたという。しかし、通常、大電流化のためにはＭＯＳＦＥＴの搭載個数を増やすなどの対応がとられるものの、その場合、整流素子であるダイオードもセットで必要となるため、小型サイズの維持が困難となっていた。
この課題に対しロームは、ボディーダイオードの通電劣化を解消した第２世代のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴを採用することにより、業界で初めてダイオードを必要としないＳｉＣパワーモジュール（ＳｉＣ－ＭＯＳモジュール）の開発・量産に成功。ＭＯＳＦＥＴの搭載面積を増やしたことにより、小型モジュールサイズを維持したままでの大電流化を実現した。一般的なインバータで利用されているＳｉ－ＩＧＢＴと比較して損失を５０％以上削減することが可能な上、高周波動作できることから周辺部品の小型化にも貢献できる製品となっている。
年率で６０～７０％もの伸びを見せ、２０１５年には約８００億円もの市場になると予測されているＳｉＣデバイス。先日もロームは、京都大学・大阪大学・東京エレクトロン との共同研究により、高誘電率ゲート絶縁膜（アルミニウム酸窒化物）を採用したＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴを開発したと発表するなど、普及に向けた技術開発・製品ラインナップを着実に進めている。一方で、今期も最終赤字を見込むなど、経営は厳しい状況が続く。業界をリードする技術力と市場の拡大を、業績へと反映させることができるのか。それが２０１３年以降の大きな課題と言えるであろう。(編集担当：井畑学)
