ロームは業界トップ級の低オン抵抗実現の高耐圧パワーＭＯＳＦＥＴを開発。縦型ｐ層を一気に形成するＳｉ深堀エッチング技術を採用し、微細化及び不純物濃度の最適化を進めることで、従来製品に比べオン抵抗を約４７％低減することに成功している。
再生可能エネルギーの代表として拡大を続ける太陽光発電市場。２０１０年度の同市場（エンドユーザー販売金額ベース）は前年度比６９．９％増の６５５３億円、２００９年１１月から開始された余剰電力の固定価格買取制度が追い風となり、２年連続で大幅に増加している（矢野経済研究所調べ）。また、そのパワーコンディショナー（モジュールなどが発電した電気を変換する機器）においては、電力変換効率の改善による省電力化が進むなか、より低損失を実現するパワーＭＯＳＦＥＴへの要求が高まっていた。
そのような中、半導体メーカーのロームは、太陽光発電のパワーコンディショナー向けに業界トップクラスの低オン抵抗を実現した高耐圧パワーＭＯＳＦＥＴ「Ｒ５０５０ＤＮＺ０Ｃ９」を開発した。
同社でもこれまで、多層エピタキシャル成長方式を用い、縦型のｐｎ接合を複数並べるスーパージャンクション構造のパワーＭＯＳＦＥＴを提供し高効率化に貢献してきたが、この方式は製造工程が複雑であるため、微細化や生産性の向上が困難という課題があった。今回、縦型ｐ層を一気に形成するＳｉ深堀エッチング技術を採用し、微細化及び不純物濃度の最適化を進めることで、従来製品に比べ、オン抵抗を約４７％低減することに成功。低オン抵抗が反映されやすいコンバータ部分に最適であるほか、ローム製ファストリカバリダイオードや、ＳｉＣショットキーバリアダイオードなどと組み合わせれば、インバータへも適用可能だという。電力変換時の損失を大幅に低減できるため、太陽光発電の効率向上に大きく貢献できる。
同製品は、放熱性の高いＴＯ２４７ＰＬＵＳパッケージを採用し、９月中旬よりサンプル出荷（サンプル価格：１０００円／個）を開始。２０１１年１２月には量産を開始する予定となっている。今後も同社は、独自の先端プロセス加工技術をフルに活かし、ユーザーニーズを先取りしたトランジスタ製品の開発に力を注いでいく方針だ。
