政治・経済・テクノロジーなどの知りたい情報をお届け
2011年10月03日 11:00
ロームは業界トップ級の低オン抵抗実現の高耐圧パワーMOSFETを開発。縦型p層を一気に形成するSi深堀エッチング技術を採用し、微細化及び不純物濃度の最適化を進めることで、従来製品に比べオン抵抗を約47%低減することに成功している。
この写真の記事へ
今週の政治、点をつなぐ 成長投資の効果検証から減税財源、防災まで 政府に問われる実行力
日経平均、週間721円高 7万円台回復から反落、週末の米国株は3指数上昇
今週の経済、点をつなぐ 実質賃金は8カ月連続プラス、それでも消費は減少 日本経済の回復に残る温度差
Copyright(C)2012-2026 Economic News 無断転載を禁じます。