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業界トップ級の低オン抵抗実現の高耐圧パワーＭＯＳＦＥＴをロームが開発

2011年10月03日 11:00

ロームは業界トップ級の低オン抵抗実現の高耐圧パワーＭＯＳＦＥＴを開発。縦型ｐ層を一気に形成するＳｉ深堀エッチング技術を採用し、微細化及び不純物濃度の最適化を進めることで、従来製品に比べオン抵抗を約４７％低減することに成功している。

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