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2011年10月03日 11:00
ロームは業界トップ級の低オン抵抗実現の高耐圧パワーMOSFETを開発。縦型p層を一気に形成するSi深堀エッチング技術を採用し、微細化及び不純物濃度の最適化を進めることで、従来製品に比べオン抵抗を約47%低減することに成功している。
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