ルネサスが、高電圧・大電流を扱う機器向けに使用するパワー半導体（ＩＧＢＴ）として、同社の第７世代ＩＧＢＴシリーズの製品化を発表。太陽光発電のパワーコンディショナや産業用モータの大電流インバータ向けに、６５０Ｖ対応の「ＲＪＨ／ＲＪＰ６５Ｓシリーズ」と１２５０Ｖ対応の「ＲＪＰ１ＣＳシリーズ」など１３製品のサンプル出荷を開始、９月から順次量産を開始する。
高電圧・大電流機器における省電力化が進められている中、電力を直流から交流に変換する際に使用されるＩＧＢＴにも大幅な低損失化が要求されている。しかし、低損失化のキーとなる飽和電圧（動作状態におけるコレクタ－エミッタ間の電圧。小さいほど、導通損失が小さい）は、大電流機器で要求される高い負荷短絡耐量（ＩＧＢＴに無制限に電流が流れた場合、破壊しないで耐えられる時間）とはトレードオフの関係にあるため、太陽光発電のパワーコンディショナ等で要求される負荷短絡耐量１０マイクロ秒を実現した場合、さらなる低損失化は困難となっていた。
これらに対し新製品では、飽和電圧を６５０Ｖ品の場合で同社従来の１．８Ｖから１．６Ｖに、１２５０Ｖ品では２．１Ｖから１．８Ｖに低減。破壊耐量である負荷短絡耐量も改善し、１０マイクロ秒（μｓ）以上を実現している。また、様々な機種に対応すべく、３０Ａから２００Ａ（Ｔｃ＝１００℃時）まで、業界標準パッケージであるＴＯ－２４７Ａを採用した「ＲＪＨ６５Ｓシリーズ」と、ユーザの基板への直接実装や周辺部品とのモジュール化等に対応するためウエハ／チップ出荷形態を標準仕様とした「ＲＪＰ６５Ｓシリーズ」および「ＲＪＰ１ＣＳシリーズ」をラインアップしている。
矢野経済研究所によると、２０１１年パワー半導体市場の２９．５％を占めたＩＧＢＴ。今後も新エネルギーや次世代自動車向けに順調に需要拡大を続けると見られているが、一方で、先日も三菱電機が家電・産業機器向けＳｉＣパワー半導体モジュール５品種のサンプル提供開始を発表するなど、次世代パワー半導体と呼ばれる製品も台頭してきている。転換気にあるとも言えるパワー半導体市場において、経営再建に揺れるルネサスがどこまで存在感を示していけるのか、今後の動向に注目が集まるところであろう。
