ローム・京都大学・大阪大学・東京エレクトロンが共同で、高誘電率ゲート絶縁膜を採用したＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴを開発した。
発電から消費に至るまでの間に数多く行われている電力変換だが、その度に１０～１５％のエネルギー損失が起こっているという。この損失を可能な限り低減させるものとしてパワーデバイスが注目を集めており、中でも次世代パワーデバイス材料としてシリコンカーバイド（ＳｉＣ）への期待が高まっている。２００９年の矢野経済研究所の調査によると、２００８年にＳｉＣ単結晶の世界市場は４１億７０００万円と推計されていたものが、２０１５年には３５５億円にまで市場が拡大すると予測されるほどである。このＳｉＣパワーデバイスに関し、その普及をさらに加速させるような開発が発表された。
それが、京都大学・大阪大学・ローム・東京エレクトロンが共同で、高誘電率ゲート絶縁膜を採用したＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴを開発したというものである。ＳｉＣ研究で世界をリードする京都大学、先端ＬＳＩ向けトランジスタ開発を進める大阪大学、ＳｉＣパワー半導体市場を牽引するローム、日本トップの半導体装置メーカーである東京エレクトロン。この４者が共同で進めた同研究では、熱酸化法でＳｉＯ２絶縁膜を形成するのではなく、電気特性と耐熱性に優れたＡｌＯＮ（アルミニウム酸窒化物）ゲート絶縁膜をＳｉＣ基板上に堆積する方法を採用。これまで大阪大学が取り組んできたＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ向けＡｌＯＮゲート絶縁膜に関する研究を基に、東京エレクトロンとの共同研究によってトレンチ構造に原子層レベルで均一に形成できる薄膜堆積技術を開発。さらに、ＡｌＯＮゲート絶縁膜として用いたトレンチ型パワーＭＯＳＦＥＴをローム・京都大学と共同で試作し、ＳｉＯ２を利用した場合と比較してリーク電流を９０％低減、１．５倍の絶縁破壊耐圧の向上を実現している。本開発は、まだ研究開発段階であるものの、既存の量産機を使用するなど、実用化へのハードルはそう高くない。ＳｉＣデバイスを数多く手がけるロームは３年後の実用化を目指しているという。
その省エネ効果は、原発数基分と言われるなど、省エネルギーの切り札ともなるＳｉＣパワーデバイス。近年は、ロームが次々に新製品を投入しているほか、三菱電機も自社製エアコンや鉄道への搭載を進めるなど、日本企業が世界をリードする開発を進めている。高い技術力を誇る日本企業。太陽光発電システムや電気自動車などへの本格的な普及も早期に実現するであろう。引き続き、市場を牽引するためにも、今回のようなオールジャパンでの取り組みに期待したい。（編集担当：井畑学）
