三菱電機が、次世代パワー半導体材料のＳｉＣ（シリコンカーバイト：炭化ケイ素）を用いたショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）やＭＯＳＦＥＴ搭載の家電製品・産業機器向けＳｉＣパワー半導体モジュール５品種を開発したと発表。７月３１日から順次サンプル提供を開始する。
エネルギーを効率的に利用する観点から、エアコン・冷蔵庫などの家電製品から一般産業機器にまで幅広く用いられているインバーター。同社はインバーターに使用される低損失のパワー半導体モジュールを多数提供している。そうした中、より大幅な電力損失低減や高速スイッチングが可能なＳｉＣを用いたパワー半導体へのニーズの高まりを受け、今回、ＳｉＣを用いたＳＢＤやＭＯＳＦＥＴ搭載のパワー半導体モジュールを開発。７月３１日から順次、サンプル提供を開始するという。
家電製品向けには、ダイオード部にＳｉＣ－ＳＢＤを搭載し、Ｓｉ素子を使用した場合と比較して電力損失を約１２％低減した「ハイブリッドＳｉＣ ＤＩＰＩＰＭ」と、最大３０ｋＨｚの高周波スイッチングを実現した「ハイブリッドＳｉＣ ＤＩＰＰＦＣ」及び、トランジスタ部にＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ、ダイオード部にＳｉＣ－ＳＢＤ を搭載し、Ｓｉ素子を使用した場合と比較して電力損失を約４５％低減、最大５０ｋＨｚの高周波スイッチングを実現した「フルＳｉＣ ＤＩＰＰＦＣ」の三品種で、いずれも従来製品の「超小型ＤＩＰＩＰＭ」と外形寸法等の互換性を確保している。また、産業機器向けには、ダイオード部にＳｉＣ－ＳＢＤを搭載し、従来製品と比べて電力損失を約２５％低減している「ハイブリッドＳｉＣ－ＩＰＭ」と、トランジスタ部にＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ、ダイオード部にＳｉＣ－ＳＢＤ を搭載し、従来製品と比べて電力損失を約７０％低減、設置面積を約６０％削減と大幅にパッケージを小型化した「フルＳｉＣモジュール」の２品種となっている。
３月にはロームが世界初となる量産の開始を発表するなど、フルＳｉＣパワーモジュール元年とでも呼ばれるべき２０１２年。今年から来年にかけて、これらの搭載された製品が続々と市場に登場するであろう。今現在省エネとして脚光を浴びている製品が、省エネ製品と呼べなくなる日は我々が想像する以上に早く訪れるのかもしれない。
