ロームがパワー半導体素子を全てＳｉＣで構成したフルＳｉＣパワーモジュールの量産を、世界で初めて開始。同製品は一般的なＳｉ製ＩＧＢＴモジュールと比べてスイッチング損失を８５％低減、体積も約５０％の削減を実現している。
あらゆる機器の低消費電力化の切り札として注目を集めているパワー半導体。中でも、現行材料のＳｉ（シリコン）では実現できない大幅な効率向上や小型が見込めるＳｉＣ（シリコンカーバイト：炭化ケイ素）やＧａＮ（窒化ガリウム）といった次世代材料を用いた、次世代パワー半導体の実用化が切望されており、各社が開発に力を入れている。
こういった背景の中、半導体メーカーのロームが、内蔵するパワー半導体素子を全てＳｉＣで構成したフルＳｉＣパワーモジュールの量産を、世界で初めて開始したと発表した。一般的なＳｉ製ＩＧＢＴモジュールと比べてスイッチング損失を８５％低減、体積も約５０％の削減を実現した新製品で、既に産業機器向けに出荷も開始しているという。
ＳｉＣパワーモジュールは、Ｓｉ製素子とＳｉＣ製素子とを併用したハイブリッド型を、既に数社が実用化・量産化を実現している。しかし、フルＳｉＣパワーモジュールとするには信頼性の面で課題が多く、各社量産には至っていなかった。この点を、ＳｉＣエピ基盤からＳｉＣディスクリートデバイス、ＳｉＣモジュールまでの一貫生産体制に強みを持つロームが克服。新製品はハイブリッド型のＳｉＣパワーモジュールと比較しても、８１％もの損失低減を実現している。
電力損失は、送電や消費する際に発生する。日本国内の年間総発電量は１兆ｋＷｈとすると、１％の電力損失でも１００億ｋＷｈのロスとなる。その為、従来のＳｉ半導体を全てＳｉCに置き換えた場合の省エネ効果は、日本国内だけで原発４基分に相当するとの試算もでているという。それだけに、次世代パワー半導体への期待と需要は非常に大きなものとなっている。８０％以上もの損失低減を実現した今回の新製品及びその量産化は、この期待と需要とに応えるものと言えるであろう。
ロームは、２０１２年３月期見込みで３５億円のＳｉＣ関連事業の売上を、２０１５年３月期には２０１２年比約４．５倍の１６０億円とする目標を掲げている。矢野経済研究所によると、新エネルギー向けのパワー半導体は、欧州を中心とする洋上風力発電や、米国と中国の太陽光発電システムでメガワットクラスの需要がのびる為、これらの分野を含んだ産業機器向けのパワー半導体の市場規模は、２０１７年には２０１１年の２倍程度まで成長すると予測されている。３月２２日に実施されたローム の新製品発表会でも、太陽光発電や風力発電関連の機器を製造する企業にもサンプルを出荷しており、今年中には量産化されるのではないかとの見通しが発表されており、この予測を裏付けるものとなっている。となると、ロームの掲げた目標額も現実味を帯びた数字ではないだろうか。
環境分野で初のノーベル平和賞を受賞したケニア人女性のマータイ氏。そのマータイ氏が２００５年に来日した際に感銘を受けたことから、環境を守る世界共通言語として広めることを提唱した「もったいない」という言葉。電力損失を大幅に低減するロームの新製品及びその量産化は、まさに「もったいない」精神を具現化したものと言えるであろう。その言葉やそこに込められた精神と共に、日本の技術が世界へと広がることを期待したい。
