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2012年04月02日 11:00
ロームがパワー半導体素子を全てSiCで構成したフルSiCパワーモジュールの量産を、世界で初めて開始。同製品は一般的なSi製IGBTモジュールと比べてスイッチング損失を85%低減、体積も約50%の削減を実現している。
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