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京セラと東北大、光アイソレータをシリコンチップに直接集積　戻り光を約95％低減

2026年09月13日 12:18

シリコンフォトニクスチップとレーザー処理を表現したイメージ。京セラと東北大学電気通信研究所は、近赤外レーザーによる局所的な「レーザーアニーリング」を活用し、光アイソレータをシリコンフォトニクスチップ上に直接形成・集積する技術を開発。実験では13.6dBのアイソレーション比を確認し、戻り光を約95％低減した。（画像はイメージ）

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