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東芝、SiC半導体のしきい値電圧変動を50％低減　EV・データセンター向け

2026年09月30日 14:49

東芝本社。東芝デバイス＆ストレージは、トレンチゲート型SiC MOSFETのゲートしきい値電圧（Vth）の変動を、市販他社品との比較で約50％低減する技術を開発した（画像は資料写真）

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